混合键合,一种铜对铜芯片连接技术,已用于逻辑芯片的高产量生产,但其在高带宽内存(HBM)上的应用已推迟。最近的JEDEC决定允许HBM4继续使用不太先进的微凸块技术,将混合键合在HBM上的首次亮相推迟到本十年末的HBM4E和HBM5。虽然台积电正在推进其混合键合间距,英特尔已将其应用于服务器CPU,但内存领域的延迟归因于此JEDEC决定。 AI
影响 HBM采用的延迟可能会影响依赖高带宽内存的AI加速器的性能和成本。
排序理由 文章详细介绍了芯片制造技术(混合键合)的进展以及其在关键内存标准(HBM)应用上的重大延迟,影响了半导体行业的路线图。
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