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English(EN) The current state of Hybrid Bonding in 2026 — TSMC sits at 6 microns and the HBM delay that nobody expected

HBM混合键合推迟至十年末，台积电推进逻辑集成

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

混合键合是一种直接连接芯片表面铜焊盘的技术，目前已广泛应用于逻辑芯片，但高带宽内存（HBM）的混合键合有所延迟。虽然台积电已推进其键合间距，英特尔也已将其应用于服务器CPU，但JEDEC决定允许HBM4使用不太复杂的微凸块技术，已将HBM的混合键合集成推迟到预计在本十年末推出的HBM4E和HBM5。这种先进的堆叠方法与传统方法相比，提供了显著更高的互连密度，能够实现更集成的芯粒设计。 AI

影响 混合键合等先进芯片堆叠技术对于通过实现更密集、更快的内存集成来提高AI硬件性能至关重要。

排序理由 讨论先进半导体制造技术及其路线图，包括影响未来内存标准的延迟。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Luke James ·

    2026年混合键合的现状——台积电（TSMC）处于6微米水平，以及无人预料到的HBM延迟

    Hybrid bonding, the copper-to-copper joining technique that replaces solder microbumps in 3D chip stacks, is in high-volume production on logic and freshly postponed on memory.

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