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ECTC
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HBM混合键合延迟至本十年末，逻辑芯片应用取得进展
混合键合，一种铜对铜芯片连接技术，已用于逻辑芯片的高产量生产，但其在高带宽内存（HBM）上的应用已推迟。最近的JEDEC决定允许HBM4继续使用不太先进的微凸块技术，将混合键合在HBM上的首次亮相推迟到本十年末的HBM4E和HBM5。虽然台积电正在推进其混合键合间距，英特尔已将其应用于服务器CPU，但内存领域的延迟归因于此JEDEC决定。
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SemiAnalysis在ECTC上详细介绍了RDL集成挑战和GUC的STCO流程
SemiAnalysis在ECTC上讨论了芯片集成和信号完整性方面的进展，强调了优化RDL（重布线交付）技术的复杂性。Global Unichip Corporation (GUC)展示了一种用于CoWoS-R风格UCIe-A集成的实际STCO流程，该流程涉及复杂的预布局和后布局电磁仿真。讨论强调，在高数据速率下，RDL的物理几何形状对于通道性能至关重要，需要仔细调整多个层和结构以增强带宽和信号完整性。