HBM5
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- 2026-07-27 product_launch Samsung Electronics announced that its next-generation HBM5 memory will use a 2nm GAA process, offering over 50% speed improvement. 来源
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三星电子将为HBM5采用2nm GAA工艺，速度提升超50%
三星电子已确认其下一代HBM5内存将采用2nm Gate-All-Around (GAA) 工艺，承诺与HBM4E相比速度提升超过50%。这项先进的制造节点预计将通过硅通孔 (TSV) 技术增强集成度。三星旨在利用其在4nm HBM4E工艺方面的专业知识，通过扩展AI、HPC、汽车和机器人等各个领域的合作来引领半导体生态系统。
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三星与英伟达讨论HBM4、代工及未来芯片技术
三星电子芯片部门负责人Jun与英伟达（NVIDIA）CEO黄仁勋会面，讨论潜在的合作。讨论内容涵盖了HBM4和代工服务的短期合作，以及在自动驾驶和加速器芯片方面的持续合作。双方还探讨了在HBM4E、HBM5和未来制造技术等领域的长期合作。
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三星和SK海力士竞相为下一代AI内存散热
三星在Computex 2026上公布了其HBM5内存原型，该原型采用了新的Heat Path Block (HPB) 散热系统。这一进展使三星在散热管理方面与SK海力士直接竞争，后者最近公布了自己的iHBM散热设计。两家公司都专注于从关键的Die-to-Die接口散热，以提高AI系统的性能和稳定性。三星计划使用其2nm工艺制造HBM5，目标是在2028年实现量产。
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SK hynix推出AI内存集成冷却技术
SK hynix推出了“iHBM”，这是一种新颖的热架构，旨在解决AI加速所用高带宽内存（HBM）的关键发热问题。该技术将冷却元件直接集成到内存接口中，将热阻降低了30%以上。这项创新旨在防止热节流，使HBM5等未来内存能够在密集型AI数据中心内以更高的容量和速度运行。