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English(EN) Micron details ambitious DRAM and NAND roadmap — 3D NAND, High-NA EUV, new materials, and custom silicon makes a comeback

美光公布包含3D NAND和高数值孔径EUV的新内存技术路线图

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

美光公布了其DRAM和NAND闪存技术的雄心勃勃的路线图，重点关注3D NAND、高数值孔径EUV光刻和新材料等方面的进步。与竞争对手不同，该公司正逐步淘汰4F2内存单元，并计划未来推出3D DRAM。美光还旨在扩大其定制内存解决方案，以满足AI开发者对针对特定架构和工作负载优化的存储和内存产品的日益增长的需求。 AI

影响 美光在内存技术方面的进步，特别是定制解决方案和HBM5，对于支持日益增长的AI工作负载需求和加速AI发展至关重要。

排序理由 美光公布其DRAM和NAND的未来技术路线图，包括先进的制造技术和定制化硅片，代表了半导体行业的重大发展。

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美光公布包含3D NAND和高数值孔径EUV的新内存技术路线图

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美光公布其DRAM和NAND的未来技术路线图，包括先进的制造技术和定制化硅片，代表了半导体行业的重大发展。
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报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov ·

    Micron 详解雄心勃勃的 DRAM 和 NAND 路线图 — 3D NAND、高数值孔径 EUV、新材料以及定制硅卷土重来

    As DRAM and 3D NAND are about to adopt all-new technologies, custom types of memory are about to become mainstream as AI developers face limitations with current solutions.

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