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实体 3d Nand

3d Nand

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  1. TOOL · CL_49144 ·

    三星电子开发900层3D NAND闪存原型

    三星电子已成功开发出900层3D NAND闪存的 प्रोटोटाइप,这是内存技术的一项重大进展。该 प्रोटोटाइप 通过使用单元行(COR)技术堆叠两个450层3D NAND芯片实现,并且其功能已得到确认。这一开发是实现更高密度和更高效存储解决方案的关键一步。

  2. SIGNIFICANT · CL_42832 ·

    英伟达AI系统成本达780万美元,内存价格飙升

    英伟达的下一代AI系统,特别是采用Vera Rubin VR200 NVL72配置的系统,预计每套成本将高达约780万美元。导致成本大幅上涨的一个重要因素是内存组件,目前约占系统总价的25%,相当于每套约200万美元。内存成本的飙升归因于LPDDR5X内存容量增加两倍,以及增加了大量的3D NAND存储,同时Rubin GPU上还集成了HBM4内存。