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3d Nand

PulseAugur coverage of 3d Nand — every cluster mentioning 3d Nand across labs, papers, and developer communities, ranked by signal.

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  1. RESEARCH · CL_153692 ·

    D-NOVA 通过存储内向量搜索加速RAG · 跟踪到2个来源

    研究人员开发了D-NOVA,这是一种新颖的存储内检索加速器,旨在显著提高检索增强生成(RAG)系统的性能和能效。通过将搜索功能直接嵌入NAND闪存并引入一种称为双边界紧密相似性感知(DTS)的新距离度量,D-NOVA旨在克服传统RAG架构相关的延迟和能耗瓶颈。这种方法允许直接在内存中进行向量搜索,与基于CPU的方法和现有的存储内加速器相比,可以显著提高速度并节省电力。

  2. COMMENTARY · CL_131978 ·

    中国央行将加大对科技和中小企业的金融支持

    中国人民银行货币政策委员会召开了2026年第二次季度例会,强调要加大对扩大内需、科技创新、小微企业等重点领域的金融支持力度。会议强调,大型银行要发挥好对实体经济的金融服务作用,并敦促小型银行回归本源。此外,会议还强调要有效运用结构性货币政策工具,支持民营企业,维护金融市场稳定。

  3. SIGNIFICANT · CL_130101 ·

    铠侠与闪迪(Sandisk)推出业界密度最高的332层3D NAND样品

    铠侠与闪迪(Sandisk)已开始提供其新型332层3D NAND闪存的样品,其面密度超过29 Gb/mm2,达到业界最高水平。这款第10代BiCS NAND专门面向数据中心应用,提供了显著的性能和效率提升,包括读取延迟降低10%,读取能耗降低25%。该公司计划在其新的Fab 2工厂生产这种先进的内存,而旧型号将继续在四日市(Yokkaichi)工厂生产。

  4. RESEARCH · CL_122259 ·

    SK hynix 承诺向韩国半导体扩建投资 7125 亿美元

    SK hynix 宣布了一项庞大的投资计划,将在未来几十年内总计投资 7125 亿美元,以扩大其在韩国的半导体业务。该公司将拨款 640 亿美元用于其青州园区,用于 3D NAND 和 HBM 封装扩建,新工厂预计将于 2029 年建成。其中很大一部分,即 3893 亿美元,将用于龙仁半导体集群,以提高 DRAM 产量,第一座工厂将于 2027 年投入运营,所有四座工厂将于 2033 年投入运营。此外,还计划投资 2595 亿美元用于…

  5. RESEARCH · CL_110536 ·

    Micron 在持续短缺中获得价值 1000 亿美元的内存供应协议

    Micron 已与 14 家主要客户就 3D NAND 和 DRAM 签署了价值约 1000 亿美元的长期供应协议 (LTA),并获得了额外的 220 亿美元现金存款和财务承诺。这些为期五年的合同(不包括较短期的汽车合同)将于 2026 年至 2030 年生效。尽管达成了这些协议,Micron 的首席执行官表示,全球内存短缺预计将持续存在,预计要到 2028 年才能逐步改善,供应满足需求仍遥遥无期。

  6. SIGNIFICANT · CL_97405 ·

    苹果警告:AI驱动的内存芯片短缺将导致不可避免的价格上涨

    苹果CEO蒂姆·库克表示,由于内存芯片成本的急剧上涨,公司产品价格的上涨已不可避免。库克在接受《华尔街日报》采访时称,当前形势不可持续,迫使苹果将增加的成本转嫁给消费者。尽管价格上涨的具体程度或时间表尚未披露,但LPDDR和3D NAND等组件成本的上升,以及人工智能开发的高需求,预计将影响从iPhone到Mac等一系列设备。

  7. SIGNIFICANT · CL_85354 ·

    Biwin 斥资 18.6 亿美元确保用于 SSD 的 3D NAND 供应,以应对短缺

    Biwin 已达成一项为期两年、价值 18.6 亿美元的协议,为其固态硬盘 (SSD) 采购 3D NAND 内存。该协议于 2026 年 Computex 展会上宣布,并已提交至上海证券交易所,旨在锁定固定价格并确保在市场严重短缺情况下的供应。这项承诺占 Biwin 年收入的 50% 以上,凸显了该公司管理 NAND 价格波动和未来潜在供应限制相关风险的战略。

  8. RESEARCH · CL_59797 ·

    LAM Research 活动聚焦芯粒技术,表彰 Vertical Compute

    LAM Research 举办了一场活动,展示了芯粒技术的进展并表彰了创新者。活动有 10 家初创公司参与,Vertical Compute 展示了其旨在改进 AI 应用的磁性存储器技术。Lightfinder,一家开发基于光子学的计量解决方案的公司,赢得了比赛。

  9. TOOL · CL_49144 ·

    三星电子开发900层3D NAND闪存原型

    三星电子已成功开发出900层3D NAND闪存的 प्रोटोटाइप,这是内存技术的一项重大进展。该 प्रोटोटाइप 通过使用单元行(COR)技术堆叠两个450层3D NAND芯片实现,并且其功能已得到确认。这一开发是实现更高密度和更高效存储解决方案的关键一步。

  10. SIGNIFICANT · CL_42832 ·

    英伟达AI系统成本达780万美元,内存价格飙升

    英伟达的下一代AI系统,特别是采用Vera Rubin VR200 NVL72配置的系统,预计每套成本将高达约780万美元。导致成本大幅上涨的一个重要因素是内存组件,目前约占系统总价的25%,相当于每套约200万美元。内存成本的飙升归因于LPDDR5X内存容量增加两倍,以及增加了大量的3D NAND存储,同时Rubin GPU上还集成了HBM4内存。