deep ultraviolet lithography
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2 天有情绪数据
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三星发布新型内存技术；中国推进芯片制造努力
三星发布了三项新型内存技术：zHBM、zNAND-O和BV-NAND，采用了先进的晶圆键合技术。zHBM的目标是达到HBM5八倍的性能，而zNAND-O则将多个NAND堆叠在逻辑芯片之上。BV-NAND是三星第十代V-NAND，最接近商业化。与此同时，中国正在推进其国内光刻技术，目标是到2030年使用DUV浸没式光刻机生产7nm芯片，尽管EUV的开发仍然是一个重大挑战。该国还寻求通过CXMT提高DRAM产量，面临MATCH法案的潜在影响。
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中国推进国内DUV光刻工具生产，面临零部件进口挑战
据报道，中国在开发自己的光刻机方面取得了进展，计划今年生产约五台浸没式DUV（深紫外）系统，到2027年达到20台。这些由上海艾司科（Aishengna）电子科技有限公司开发的机器，旨在用于生产线验证而非大规模生产，并且还无法与ASML的先进型号相媲美。虽然中国的国内工具制造商在蚀刻和沉积方面取得了进展，但光刻仍然是一个重大挑战，关键部件仍需进口，光刻工具的整体国产化率仅为18%。
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Intel 扩大加州光掩模生产以支持先进 EUV 芯片技术
Intel 正在加州圣克拉拉的 Bowers Campus 扩大其光掩模生产能力。该公司正在建造一座新的制造和公用设施大楼，以提高其生产 DUV 和 EUV 层掩模的能力，包括 Intel 18A 和 14A 等先进节点。此次扩建旨在加强美国的半导体制造领导地位，并确保为领先的工艺技术（特别是可能随时间退化的 EUV 层）提供关键组件的可靠供应。
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ASML否认向中国运送EUV，因美国技术限制
ASML Holding否认了有关其向中国运送先进极紫外光刻（EUV）系统的传闻，由于设备的巨大尺寸和复杂性，这一说法受到了质疑。此前，美国商务部对中国获取尖端半导体制造技术表示担忧。此次否认正值这些担忧加剧之际。这种情况凸显了中国芯片制造商在获取EUV和日益受限的深紫外光刻（DUV）设备方面面临的日益增长的困难，限制了他们超越旧制造工艺的能力。
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半导体设备市场因强劲的逻辑和内存需求到2027年将达到1990亿美元
中信证券预测全球晶圆制造设备（WFE）市场将显著扩张，预计到2025年将达到1173亿美元，到2027年将飙升至1995亿美元。预计这种增长将由代工、逻辑和内存行业的强劲需求驱动，其中代工和逻辑预计到2027年将占市场份额的52%，而内存（DRAM和NAND闪存）将占39%。报告强调，领先的半导体设备制造商将受益于强劲的需求，特别推荐投资于在EUV和DUV出货量方面有上调潜力的先进光刻领导者，以及在DRAM和NAND闪存领域拥有强大地位的公司。
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ASML 详细介绍光刻工具路线图，2025 年交付 48 台 EUV 系统
ASML 公布了 2025 年强劲的财务业绩，交付了 48 台 EUV 光刻系统和 131 台浸没式 DUV 工具。公司营收达到 327 亿欧元，年末订单积压总额高达 388 亿欧元。ASML 的路线图包括光刻技术的进步，从 DUV 发展到 Low-NA、High-NA 和 Hyper-NA 系统。