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Scott R DeBoer
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美光发布采用晶圆对晶圆键合技术的400+层3D NAND
美光宣布其下一代G11 3D NAND技术将于2027年下半年进入量产。这项新技术将拥有超过400层，并采用晶圆对晶圆键合技术，将比特密度翻倍，I/O性能提升50%，并降低功耗。这些进步预计将惠及客户端和数据中心SSD，以及需要高带宽和高效率的新兴AI存储设备。
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美光在二十年后放弃4F² DRAM研究
美光科技已决定停止其在4F² DRAM方面的研发工作，这项技术曾承诺实现更小的内存单元。经过二十年的努力，该公司得出结论，该架构并未提供显著的密度优势，反而增加了制造复杂性和成本。这一决定使美光与三星和SK海力士等仍将4F² DRAM纳入其路线图的竞争对手区分开来。