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English(EN) Micron plans to use wafer bonding and High-NA EUV for next-gen DRAM

美光通过晶圆键合、高数值孔径EUV和垂直内存推进DRAM技术

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

美光正通过计划将晶圆键合与其1ε工艺集成并为未来几代产品采用高数值孔径EUV光刻技术，来推进其DRAM技术。该公司还在探索3D DRAM结构，并开发垂直高带宽内存（vHBM）和垂直边缘推理内存（vEIM）等新型内存解决方案。这些创新旨在克服当前平面DRAM的物理限制，并提升对要求严苛的应用（尤其是在AI领域）的性能。 AI

影响 美光在DRAM技术方面的进步，包括垂直内存集成，有望通过提供更低的延迟和更高的带宽来增强AI处理能力。

排序理由 美光宣布在内存技术方面取得重大进展，包括晶圆键合、高数值孔径EUV以及vHBM和vEIM等新型内存。 [lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov ·

    美光计划在下一代DRAM中使用晶圆键合和高数值孔径EUV技术

    Micron rejects 4F2, intends to use wafer bonding and High-NA EUV before going 3D NAND over the next few years.

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