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  1. RESEARCH · CL_322792 ·

    美光通过晶圆键合、高数值孔径EUV和垂直内存推进DRAM技术

    美光正通过计划将晶圆键合与其1ε工艺集成并为未来几代产品采用高数值孔径EUV光刻技术，来推进其DRAM技术。该公司还在探索3D DRAM结构，并开发垂直高带宽内存（vHBM）和垂直边缘推理内存（vEIM）等新型内存解决方案。这些创新旨在克服当前平面DRAM的物理限制，并提升对要求严苛的应用（尤其是在AI领域）的性能。