铠侠与闪迪发布了新的 3D NAND 闪存技术 BiCS10,拥有 332 层活动层和高达 4,800 MT/s 的接口速度。这项技术实现了超过 37 Gbit/mm² 的创纪录面密度,标志着存储技术的重要进步。 AI
影响 存储密度和速度的提升对于满足日益增长的 AI 模型训练和部署需求至关重要。
排序理由 该集群报道了存储硬件的一项新技术发展,特别是 3D NAND 闪存,属于半导体行业的研发领域。
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