BiCS10
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3 天有情绪数据
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Kioxia、SanDisk推进QLC NAND，预示1PB SSD的实现路径
Kioxia和SanDisk已展示了每die 2Tb、密度为37.6 Gb/mm²的新型QLC NAND技术，为未来1PB SSD铺平了道路。虽然底层NAND技术正在快速发展，但在封装、控制器设计、功耗和数据可靠性方面仍存在重大挑战，才能实现如此巨大的容量。这一发展得益于AI和云工作负载对更密集存储日益增长的需求。
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铠侠与闪迪推出具有 332 层活动层的创纪录密度 3D NAND 闪存
铠侠与闪迪发布了新的 3D NAND 闪存技术 BiCS10，拥有 332 层活动层和高达 4,800 MT/s 的接口速度。这项技术实现了超过 37 Gbit/mm² 的创纪录面密度，标志着存储技术的重要进步。
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Kioxia 和 SanDisk 发布业界最密集数据中心用 3D NAND 闪存
Kioxia 和 SanDisk 发布了一款新的 BiCS10 3D NAND 闪存芯片，其存储密度高达 37 Gb/mm2，位居世界前列。这项技术拥有 332 层活动层和高达 4,800 MT/s 的接口速度，主要面向高容量、数据中心级 SSD，特别是用于 AI 基础设施的 SSD。两家公司还强调了能效的提升，并预计与竞争对手的高密度 NAND 解决方案相比，成本将更低。
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铠侠与闪迪（Sandisk）推出业界密度最高的332层3D NAND样品
铠侠与闪迪（Sandisk）已开始提供其新型332层3D NAND闪存的样品，其面密度超过29 Gb/mm2，达到业界最高水平。这款第10代BiCS NAND专门面向数据中心应用，提供了显著的性能和效率提升，包括读取延迟降低10%，读取能耗降低25%。该公司计划在其新的Fab 2工厂生产这种先进的内存，而旧型号将继续在四日市（Yokkaichi）工厂生产。