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English(EN) Kioxia and Sandisk demonstrate the world's highest-density 3D NAND flash — 332 active layers and up to 4,800 MT/s interface

Kioxia 和 SanDisk 发布业界最密集数据中心用 3D NAND 闪存

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

Kioxia 和 SanDisk 发布了一款新的 BiCS10 3D NAND 闪存芯片，其存储密度高达 37 Gb/mm2，位居世界前列。这项技术拥有 332 层活动层和高达 4,800 MT/s 的接口速度，主要面向高容量、数据中心级 SSD，特别是用于 AI 基础设施的 SSD。两家公司还强调了能效的提升，并预计与竞争对手的高密度 NAND 解决方案相比，成本将更低。 AI

影响 这项新的高密度 NAND 闪存技术有望为 AI 工作负载和数据中心提供更强大、更具成本效益的存储解决方案。

排序理由 存储技术的重大进步，对数据中心和 AI 基础设施具有重要意义。 [lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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Kioxia 和 SanDisk 发布业界最密集数据中心用 3D NAND 闪存

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报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov ·

    Kioxia与Sandisk展示业界最高密度3D NAND闪存——332层活动层，接口速度高达4,800 MT/s

    Kioxia and Sandisk introduce BiCS10 3D QLC NAND device with a record areal density of over 37 Gbit/mm^2.

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