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实体 3D QLC NAND

3D QLC NAND

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  1. RESEARCH · CL_182155 ·

    Kioxia 和 SanDisk 发布业界最密集数据中心用 3D NAND 闪存

    Kioxia 和 SanDisk 发布了一款新的 BiCS10 3D NAND 闪存芯片，其存储密度高达 37 Gb/mm2，位居世界前列。这项技术拥有 332 层活动层和高达 4,800 MT/s 的接口速度，主要面向高容量、数据中心级 SSD，特别是用于 AI 基础设施的 SSD。两家公司还强调了能效的提升，并预计与竞争对手的高密度 NAND 解决方案相比，成本将更低。