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Alper Ilkbahar
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SK Hynix 和 SanDisk 在 2026 FMS 大会上推进 AI 高带宽闪存
在 2026 FMS 大会上，SK Hynix 和 SanDisk 展示了高带宽闪存（HBF）技术的进展，该技术旨在增强 AI 推理能力。SK Hynix 推出了新的内存层级，包括具有 TB 级带宽的 G1.5 HBF，旨在优化 AI 性能和成本。SanDisk 详细介绍了其最新的 NAND 闪存芯片以及与 SK Hynix 在 HBF 上的合作，HBF 类似于 HBM 堆叠 NAND 芯片，为 AI 加速器提供高容量、高性能的存储解决方案。
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Kioxia 和 SanDisk 发布业界最密集数据中心用 3D NAND 闪存
Kioxia 和 SanDisk 发布了一款新的 BiCS10 3D NAND 闪存芯片，其存储密度高达 37 Gb/mm2，位居世界前列。这项技术拥有 332 层活动层和高达 4,800 MT/s 的接口速度，主要面向高容量、数据中心级 SSD，特别是用于 AI 基础设施的 SSD。两家公司还强调了能效的提升，并预计与竞争对手的高密度 NAND 解决方案相比，成本将更低。