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English(EN) Qualcomm reveals HBC near-memory AI architecture, AI250 and AI350 accelerators — touts 6x higher bandwidth-per-watt compared to HBM, 200x capacity compared to on-chip SRAM

Qualcomm 发布近内存 AI 架构以提升性能

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

Qualcomm 推出了名为 High Bandwidth Compute (HBC) 的新型近内存 AI 架构，旨在克服 AI 工作负载中的内存墙限制。该架构将 AI 加速器直接置于 LPDDR DRAM 堆栈下方，与传统的 High Bandwidth Memory (HBM) 和片上 SRAM 相比，提供了显著更高的每瓦带宽和容量。Qualcomm 的方法旨在降低高级封装的功耗、散热和成本，未来的 AI250 和 AI350 等加速器将利用这项新技术实现大幅性能提升。 AI

影响 这项新架构有望显著提高 AI 工作负载的性能和效率，从而可能降低 AI 部署的成本和功耗。

排序理由 Qualcomm 宣布推出新的 AI 架构和加速器，这代表了 AI 硬件基础设施的重大发展。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov ·

    Qualcomm 揭晓 HBC 近内存 AI 架构、AI250 和 AI350 加速器 — 声称每瓦带宽比 HBM 高 6 倍，容量比片上 SRAM 高 200 倍

    Qualcomm unveils HBC near-memory AI architecture, claims it has broken the memory wall.

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