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English(EN) Intel’s performance-enhanced 18A-P process enters risk production — drop-in 18A upgrade promises 9% performance improvement at iso-power, cuts thermal resistance by 40%

Intel 的 18A-P 工艺进入风险试产，性能有所提升

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

Intel 已将其性能增强型 18A-P 半导体工艺推进到风险试产阶段，这是大规模生产之前的阶段。此现有 18A 节点的升级在相同功耗下可提供 9% 的性能提升，或在相同性能下降低 18% 的功耗。18A-P 工艺向后兼容 18A 设计，并引入了新的晶体管选项，包括带有“Power Boost”技术的 W3P，旨在提高速度并降低热阻。 AI

排序理由 主要行业参与者在半导体制造工艺技术方面取得重大进展。

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Intel 的 18A-P 工艺进入风险试产，性能有所提升

报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Jake Roach ·

    Intel 性能增强版 18A-P 工艺进入风险试产 — 兼容升级版 18A 承诺在相同功耗下性能提升 9%，热阻降低 40%

    Intel's enhanced 18A-P has entered risk production, laying the groundwork to ramp the node into full production in the coming months.

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