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VLSI 2026
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NAND闪存制造商Kioxia和三星推出多阵列键合架构
SemiAnalysis报道称，Kioxia和三星推出了多阵列混合键合NAND架构，旨在实现1000层以上以提高密度。Kioxia的样品包括一个双218L堆叠以管理机械集成问题和一个双17L堆叠用于电气测试。三星的Cell Multi-Bonding样品包括一个双450L机械样品和一个双155L电气样品。然而，分析表明，额外的混合键合步骤导致的良率损失增加以及单元阵列之间电气匹配的需要可能会抵消成本节省，尤其是在产能受限的环境中，因为…
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Intel 的 18A-P 工艺进入风险试产，性能有所提升
Intel 已将其性能增强型 18A-P 半导体工艺推进到风险试产阶段。此现有 18A 节点的升级在同等功耗下可提供 9% 的性能提升，或在相同性能下降低 18% 的功耗。18A-P 工艺与现有 18A 设计兼容，并引入了新的晶体管选项，包括采用“Power Boost”技术的双触点 W3P 设计，旨在提高速度并降低散热电阻。