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  1. RESEARCH · CL_95395 ·

    Intel 的 18A-P 工艺进入风险试产，性能有所提升

    Intel 已将其性能增强型 18A-P 半导体工艺推进到风险试产阶段。此现有 18A 节点的升级在同等功耗下可提供 9% 的性能提升，或在相同性能下降低 18% 的功耗。18A-P 工艺与现有 18A 设计兼容，并引入了新的晶体管选项，包括采用“Power Boost”技术的双触点 W3P 设计，旨在提高速度并降低散热电阻。