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English(EN) AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD

AMD 发布 DDR5 内存的 EXPO 超低延迟功能

AMD 推出了名为 EXPO 超低延迟 (ULL) 的 DDR5 内存自动内存超频新功能。根据 AMD 的内部测试,此新工具旨在比标准的 JEDEC 速度提升 13% 的性能,并比现有的 EXPO 配置文件提高 4%。该公司有多个内存合作伙伴支持 ULL,预计很快上市,但其内部工作原理的具体细节仍然很少。 AI

影响 对 AI 运营的直接影响很小;侧重于通用 PC 性能的提升。

排序理由 主要硬件供应商发布新功能公告,涉及性能提升。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.1]

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AMD 发布 DDR5 内存的 EXPO 超低延迟功能

报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Jake Roach ·

    AMD promises 13% uplift with new EXPO ‘Ultra Low Latency’ overclocking on DDR5 DIMMs — automatic memory overclocking delivers 4% improvement over standard EXPO, says AMD

    AMD’s upcoming EXPO ‘Ultra Low Latency’ automatic memory overclocking promises a 13% improvement over standard DDR5 speeds, as well as a 4% jump compared to standard EXPO.