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AMD 发布 EXPO 超低延迟 DDR5 内存

AMD 推出了 EXPO 超低延迟 (ULL) DDR5 内存，旨在通过优化子时序来提升性能。该公司声称，与标准 EXPO 相比，这项新功能将平均带来 4% 的性能提升，与 JEDEC 标准相比则能提升 13%，尤其有利于游戏场景。虽然兼容现有芯片组，但 EXPO ULL 需要新的 DIMM 和可能的 BIOS 更新，AMD 预计这些新内存套件的定价将与当前产品类似。