English(EN) Hot Chips 2026: SK hynix pushes hybrid bonding HBM5 as AI memory hits 775-micron ceiling — firm extends MR-MUF through Nvidia Rubin

SK海力士将AI内存混合键合推迟至HBM5

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] · 2026-08-24 17:55

SK海力士宣布混合键合技术将无法用于HBM4E，最早要到HBM5才能采用。此延迟是由于内存堆栈厚度的物理限制，其上限为775微米，以匹配标准的逻辑晶圆厚度。该公司目前专注于其HBM4和HBM4E的大量回流模塑底部填充（MR-MUF）工艺，而混合键合仍处于更高层数的研发阶段。 AI

影响混合键合等先进内存封装的延迟可能会影响AI硬件开发的速度和性能提升。

排序理由文章讨论了主要行业参与者SK海力士在AI内存封装技术方面的进展和限制，影响了未来的硬件开发。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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报道来源 [1]

Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Luke James · 2026-08-24 17:55

Hot Chips 2026：SK hynix推出混合键合HBM5，AI内存触及775微米上限——公司通过Nvidia Rubin延长MR-MUF

The problem, per SK, is that HBM cubes are capped at a total thickness of 775 microns, the standard thickness of a 300mm logic wafer.