三星电子公布了其下一代AI基础设施存储技术路线图。在圣克拉拉举行的未来存储与内存会议（FMS）上，该公司展示了其zHBM和zNAND-O概念，以及采用晶圆键合技术的400多层V10 BV-NAND技术。zHBM技术旨在通过将高带宽内存（HBM）垂直堆叠在AI加速器上方，缩短数据传输距离，从而提高AI训练和推理性能。 AI
影响 AI存储技术的这一进步可能带来更快的AI训练和推理速度，从而加速更强大AI模型的开发和部署。
排序理由 一家主要科技公司公布了下一代AI基础设施组件的路线图。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]
- Future Storage and Memory Conference (FMS)
- HBM5
- Samsung Electronics
- Santa Clara
- V10 NAND
- zHBM
- zNAND-O
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