10th Generation V-NAND

三星发布新一代人工智能内存技术：zHBM、zNAND-O、BV-NAND

三星电子公布了其面向人工智能基础设施的新一代内存路线图，推出了zHBM、zNAND-O和BV-NAND等新技术。这些在2026年未来存储与内存会议（FMS）上展示的创新技术，采用了先进的晶圆键合技术。zHBM技术通过将HBM直接堆叠在AI加速器之上，旨在提升人工智能训练和推理性能，显著缩短数据传输距离，并有望在性能、密度和能效方面相比HBM5实现大幅提升。