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zNAND-O
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三星发布新型内存技术；中国推进芯片制造努力
三星发布了三项新型内存技术：zHBM、zNAND-O和BV-NAND，采用了先进的晶圆键合技术。zHBM的目标是达到HBM5八倍的性能，而zNAND-O则将多个NAND堆叠在逻辑芯片之上。BV-NAND是三星第十代V-NAND，最接近商业化。与此同时，中国正在推进其国内光刻技术，目标是到2030年使用DUV浸没式光刻机生产7nm芯片，尽管EUV的开发仍然是一个重大挑战。该国还寻求通过CXMT提高DRAM产量，面临MATCH法案的潜在影响。
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三星发布 AI 专用内存技术，影响消费者价格
三星发布了新的内存和存储技术，包括 zHBM，该技术将 HBM 内存直接堆叠在 AI 加速器之上，以将性能提高八倍。该公司还推出了 V10 BV-NAND，具有超过 400 层堆叠内存层，以及面向边缘 AI 环境的 zNAND-O。此外，三星展示了 LPDDR5X-PIM，这是首款具有集成处理能力的 LPDDR 内存。然而，这些进步主要面向 AI 数据中心，可能会加剧目前 DDR5 等消费级内存的短缺和高价。
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三星发布新一代人工智能内存技术：zHBM、zNAND-O、BV-NAND
三星电子公布了其面向人工智能基础设施的新一代内存路线图，推出了zHBM、zNAND-O和BV-NAND等新技术。这些在2026年未来存储与内存会议（FMS）上展示的创新技术，采用了先进的晶圆键合技术。zHBM技术通过将HBM直接堆叠在AI加速器之上，旨在提升人工智能训练和推理性能，显著缩短数据传输距离，并有望在性能、密度和能效方面相比HBM5实现大幅提升。