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RESEARCH · CL_182616 · Aug 4 · 23:26

三星公布下一代AI存储路线图，配备zHBM和400+层V10 NAND

三星电子公布了其下一代AI基础设施存储技术路线图。在圣克拉拉举行的未来存储与内存会议（FMS）上，该公司展示了其zHBM和zNAND-O概念，以及采用晶圆键合技术的400多层V10 BV-NAND技术。zHBM技术旨在通过将高带宽内存（HBM）垂直堆叠在AI加速器上方，缩短数据传输距离，从而提高AI训练和推理性能。