zHBM
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- 2026-09-10 product_launch Samsung unveiled a prototype of its zHBM memory technology, designed to be stacked directly onto AI accelerators. 来源
4 天有情绪数据
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三星发布 zHBM 内存，直接堆叠在 AI 加速器上
三星公司发布了其 zHBM 内存技术的原型机，该技术旨在直接堆叠在 AI 加速器上。这种创新的方法旨在显著提高 AI 工作负载的数据传输速度和效率。zHBM 技术代表了高性能计算内存架构的关键进展。
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三星计划通过zHBM路线图实现计算与内存的集成
三星已概述了一项三阶段战略，旨在将其高带宽内存（HBM）架构直接集成逻辑和计算能力。该公司的zHBM方法旨在将DRAM直接堆叠在处理器之上，从而无需独立的插入器。这一在Hot Chips 2026上详细介绍的演进，首先将HBM基板移至先进的逻辑工艺，使其能够处理以前由处理器管理的函数，并回收宝贵的XPU面积。
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人工智能推动 IEEE Hot Chips 会议硬件创新浪潮
2026 IEEE Hot Chips 会议创纪录的参会人数标志着硬件创新复苏，尤其是在对人工智能工作负载至关重要的内存和存储技术方面。关键讨论包括高带宽内存（HBM）的进展，Micron 和 Samsung 的演讲详细介绍了未来的发展，例如 zHBM，它将内存直接放置在处理器上以提高性能和能效。D-Matrix 还展示了其 3D DRAM 概念，旨在通过将逻辑堆叠在 DRAM 堆栈之上来实现更高的带宽和更低的能耗。
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HBM创新：zHBM、cHBM5及先进散热技术驱动AI内存未来
高带宽内存（HBM）的未来正由zHBM和cHBM5等创新技术塑造，同时更强大的基底芯片和改进的散热解决方案也在不断发展。这些进步对于满足人工智能和高性能计算日益增长的需求至关重要。SK hynix、Samsung和Micron等公司正处于这些下一代内存技术的开发前沿，预计到2026年将取得重大进展。
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三星发布新型内存技术；中国推进芯片制造努力
三星发布了三项新型内存技术：zHBM、zNAND-O和BV-NAND，采用了先进的晶圆键合技术。zHBM的目标是达到HBM5八倍的性能，而zNAND-O则将多个NAND堆叠在逻辑芯片之上。BV-NAND是三星第十代V-NAND，最接近商业化。与此同时，中国正在推进其国内光刻技术，目标是到2030年使用DUV浸没式光刻机生产7nm芯片，尽管EUV的开发仍然是一个重大挑战。该国还寻求通过CXMT提高DRAM产量，面临MATCH法案的潜在影响。
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三星发布 AI 专用内存技术，影响消费者价格
三星发布了新的内存和存储技术，包括 zHBM，该技术将 HBM 内存直接堆叠在 AI 加速器之上，以将性能提高八倍。该公司还推出了 V10 BV-NAND，具有超过 400 层堆叠内存层，以及面向边缘 AI 环境的 zNAND-O。此外，三星展示了 LPDDR5X-PIM，这是首款具有集成处理能力的 LPDDR 内存。然而，这些进步主要面向 AI 数据中心，可能会加剧目前 DDR5 等消费级内存的短缺和高价。
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三星发布新一代人工智能内存技术：zHBM、zNAND-O、BV-NAND
三星电子公布了其面向人工智能基础设施的新一代内存路线图，推出了zHBM、zNAND-O和BV-NAND等新技术。这些在2026年未来存储与内存会议（FMS）上展示的创新技术，采用了先进的晶圆键合技术。zHBM技术通过将HBM直接堆叠在AI加速器之上，旨在提升人工智能训练和推理性能，显著缩短数据传输距离，并有望在性能、密度和能效方面相比HBM5实现大幅提升。