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Shanghai Micro Electronics Equipment
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英伟达CEO：中国将在2030年前开发出先进光刻工具
英伟达CEO黄仁勋认为，中国将在2030年前实现先进光刻芯片制造工具的自给自足。他表示，中国在高产量生产方面表现出色，而开发这些能力只是时间问题。然而，目前的证据表明，中国领先的光刻设备生产商上海微电子装备（SMEE）与其竞争对手ASML的当前技术相比存在显著差距，即使是最先进的系统也可能需要数年才能实现大规模量产，并且与ASML当前的产品相比有很大差距。
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中国EUV技术落后于ASML 2004年水平，分析师声称 · 追踪到2个来源
瑞银的一位分析师表示，中国先进的光刻技术目前相当于ASML在2004年的能力。尽管中国公司正在开发自己的半导体制造工具，包括沉积和蚀刻设备，但它们尚未生产出用于现代芯片生产的具有竞争力的光刻机。专家认为，即使未来在浸没式DUV光刻系统方面取得进展，中国的半导体产业仍可能继续落后于西方竞争对手。
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中国指定上海艾司科为首台国产DUV光刻机扫描仪制造商
上海艾司科已被确定为中国首台国产浸没式DUV光刻机扫描仪的制造商。这一发展意义重大，它标志着在先进芯片制造工具的国内生产方面迈出了重要一步，尽管中国供应商目前在ArF浸没式光刻胶等关键部件方面所占份额非常小。该公司资本雄厚，预计将为主要中国芯片制造商（如中芯国际、华虹半导体和长鑫存储）提供服务，这些制造商由于缺乏EUV技术而依赖DUV技术。