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Shanghai Micro Electronics Equipment
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Nvidia CEO：中国将在 2030 年前开发出先进芯片制造工具
Nvidia CEO Jensen Huang 认为中国将在 2030 年前实现先进光刻芯片制造工具的自给自足。他表示，中国在批量生产方面已经很熟练，开发这些能力只是时间问题。然而，目前的评估表明，中国领先的光刻设备制造商上海微电子设备有限公司（SMEE）在先进 EUV 技术方面，与 ASML Holding 等行业领导者相比，仍有很大差距，因此到 2030 年实现技术同步的可能性不大。
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中国EUV技术落后于ASML 2004年水平，分析师声称 · 追踪到2个来源
瑞银的一位分析师表示，中国先进的光刻技术目前相当于ASML在2004年的能力。尽管中国公司正在开发自己的半导体制造工具，包括沉积和蚀刻设备，但它们尚未生产出用于现代芯片生产的具有竞争力的光刻机。专家认为，即使未来在浸没式DUV光刻系统方面取得进展，中国的半导体产业仍可能继续落后于西方竞争对手。
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中国指定上海艾司科为首台国产DUV光刻机扫描仪制造商
上海艾司科已被确定为中国首台国产浸没式DUV光刻机扫描仪的制造商。这一发展意义重大，它标志着在先进芯片制造工具的国内生产方面迈出了重要一步，尽管中国供应商目前在ArF浸没式光刻胶等关键部件方面所占份额非常小。该公司资本雄厚，预计将为主要中国芯片制造商（如中芯国际、华虹半导体和长鑫存储）提供服务，这些制造商由于缺乏EUV技术而依赖DUV技术。