molybdenum disulfide
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4 天有情绪数据
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TACoS框架使用最小标注进行二维材料分割
研究人员开发了TACoS，一种使用弱监督学习进行二维材料分割的新框架。该方法通过将半监督一致性学习与结构化树能量约束相结合，大大减少了对广泛手动标注的需求。TACoS采用非对称区域对比学习来增强类内凝聚力和类间分离度，尤其是在具有挑战性的低对比度和复杂背景场景中。在石墨烯和二硫化钼数据集上的实验表明，TACoS在仅使用不到0.6%的标注数据的情况下，实现了超过96%的完全监督性能，为高通量筛选提供了高效的解决方案。
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中国转向二维半导体，绕过硅出口限制
作为对西方先进硅芯片出口限制的回应，中国正在加速开发二维半导体，如二硫化钼。复旦大学的研究人员与上海原子技术公司合作，使用这种新材料开发了一个功能性的32位RISC-V微处理器，这标志着朝着“超越摩尔定律”架构迈出了重要一步。尽管取得了这一进展，但这些新芯片的规模目前仍与早期微处理器相当，在晶体管数量和缺陷控制等领域仍面临重大的工程挑战，才能与当前高端AI芯片竞争。
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新型涂层技术简化下一代晶体管制造
美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室的科学家们发现了一种用于二硫化钼的新型预处理涂层技术。该方法涉及氧气或氟气预处理，可在不影响其他原子的前提下简化下一代芯片晶体管的制造。研究结果发表在《物理化学通讯》杂志上。
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imec、ASML、台积电实现2D晶体管50nm间距
imec、ASML和台积电已成功在300mm晶圆上制造了互补型2D材料晶体管，实现了50nm的间距。这一突破将n型和p型晶体管与原子级薄的2D沟道集成在一起，是克服硅尺寸限制的重要一步。该工艺利用单次极紫外（EUV）曝光打印出短至28nm的沟道，94%的晶体管功能正常并表现出高开关电流比。通过集成两种极性并在标准生产设备上实现，利用新颖的“反向”薄膜晶体管流程解决接触电阻问题，这一成就标志着2D晶体管尺寸扩展的一个里程碑。
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华为与科学家发布2D芯片，挑战摩尔定律
中国研究人员与华为合作，开发出全球首款采用二维半导体的并行处理器。这款名为“问顶-1000”（Mengqi-1000）的新芯片利用二硫化钼克服了硅的物理尺寸限制，有望延续摩尔定律。该突破实现了创纪录的集成密度，标志着中国在二维半导体研究和潜在量产方面取得进展。
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西湖大学实现晶圆级单晶二维半导体柔性集成
西湖大学的研究人员开发了一种新颖的“干法转移”方法，用于将单晶二维半导体集成到柔性基板上。该技术将工艺从湿法推进到干法，实现了二硫化钼等材料的高质量集成。这项发表在《自然·电子学》上的突破解决了阻碍高性能柔性电子器件发展的一个关键技术挑战。