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English(EN) TSMC to start using High-NA EUV lithography in 2030 — A10 or A11 technology prime candidates for use

台积电将于2030年采用高数值孔径EUV光刻技术用于先进芯片节点

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

台积电已宣布计划从2030年开始将其高数值孔径EUV（High-NA EUV）光刻技术整合到其制造流程中。这项与ASML合作开发的前沿技术将能够实现更精细的芯片生产分辨率，其中A10或A11（1/1.1纳米级别）节点最有可能成为其初步采用的对象。此次转型涉及重大的全行业调整，包括开发更大的6x12英寸光掩模，以克服目前6x6英寸光掩模的局限性，这对于生产大型AI加速器至关重要。 AI

影响 光刻技术的这一进步将能够生产更强大、更高效的芯片，这对于扩展AI加速器和复杂晶体管架构至关重要。

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台积电将于2030年采用高数值孔径EUV光刻技术用于先进芯片节点

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报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov ·

    台积电将于2030年开始使用高数值孔径极紫外光刻技术——A10或A11技术是主要候选技术

    TSMC discloses plans to use High-NA EUV lithography in 2030, 6×12-inch photomasks with new scanners in 2033.

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