台积电已宣布计划从2030年开始将其High-NA EUV光刻技术整合到其制造流程中。这项先进技术能够实现更高的分辨率,最初将使用传统的6x6英寸光掩模,并计划于2033年过渡到6x12英寸光掩模。该公司预计其A10或A11工艺节点将率先利用这项新技术来制造关键层,旨在满足日益复杂的晶体管架构和对更先进芯片的需求。 AI
影响 这项光刻技术的进步对于未来制造日益复杂的AI加速器和芯片至关重要。
排序理由 台积电宣布将在特定年份采用一项新的、先进的光刻技术用于大规模生产。
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