Low Na Euv
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台积电将于2030年采用High-NA EUV光刻技术
台积电已宣布计划从2030年开始将其High-NA EUV光刻技术整合到其制造流程中。这项先进技术能够实现更高的分辨率，最初将使用传统的6x6英寸光掩模，并计划于2033年过渡到6x12英寸光掩模。该公司预计其A10或A11工艺节点将率先利用这项新技术来制造关键层，旨在满足日益复杂的晶体管架构和对更先进芯片的需求。
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ASML计划提高EUV光刻机价格，令台积电感到沮丧
ASML是EUV光刻机的唯一供应商，据报道正计划提高其低NA EUV设备的价格。据报道，这一潜在的价格上涨令ASML最大的客户台积电感到沮丧，台积电可能面临数十亿美元的额外成本。ASML将这些增长归因于其先进机器提高的生产力和价值，他们将此策略称为“基于价值的定价”。
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ASML 计划提高 EUV 设备价格，惹恼台积电
ASML Holding 正在考虑提高其低数值孔径 EUV 光刻设备的定价，超越仅基于晶圆吞吐量的模式，以抓住其技术提供的全部价值。这一潜在的价格调整可能会影响从 2028 年末开始交付的系统，据报道已引起其最大客户台积电的不满。ASML 的首席财务官 Roger Dassen 指出，尽管现有合同可能会限制短期提价，但该公司认为由于其设备提供的巨大价值和先进功能，存在提价的灵活性。
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ASML 详细介绍光刻工具路线图，2025 年交付 48 台 EUV 系统
ASML 公布了 2025 年强劲的财务业绩，交付了 48 台 EUV 光刻系统和 131 台浸没式 DUV 工具。公司营收达到 327 亿欧元，年末订单积压总额高达 388 亿欧元。ASML 的路线图包括光刻技术的进步，从 DUV 发展到 Low-NA、High-NA 和 Hyper-NA 系统。