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Low Na Euv

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  1. RESEARCH · CL_241991 ·

    台积电将于2030年采用高数值孔径EUV光刻技术用于先进芯片节点

    台积电已宣布计划从2030年开始将其高数值孔径EUV(High-NA EUV)光刻技术整合到其制造流程中。这项与ASML合作开发的前沿技术将能够实现更精细的芯片生产分辨率,其中A10或A11(1/1.1纳米级别)节点最有可能成为其初步采用的对象。此次转型涉及重大的全行业调整,包括开发更大的6x12英寸光掩模,以克服目前6x6英寸光掩模的局限性,这对于生产大型AI加速器至关重要。

  2. SIGNIFICANT · CL_148858 ·

    ASML计划提高EUV光刻机价格,令台积电感到沮丧

    ASML是EUV光刻机的唯一供应商,据报道正计划提高其低NA EUV设备的价格。据报道,这一潜在的价格上涨令ASML最大的客户台积电感到沮丧,台积电可能面临数十亿美元的额外成本。ASML将这些增长归因于其先进机器提高的生产力和价值,他们将此策略称为“基于价值的定价”。

  3. SIGNIFICANT · CL_148427 ·

    ASML 计划提高 EUV 设备价格,惹恼台积电

    ASML Holding 正在考虑提高其低数值孔径 EUV 光刻设备的定价,超越仅基于晶圆吞吐量的模式,以抓住其技术提供的全部价值。这一潜在的价格调整可能会影响从 2028 年末开始交付的系统,据报道已引起其最大客户台积电的不满。ASML 的首席财务官 Roger Dassen 指出,尽管现有合同可能会限制短期提价,但该公司认为由于其设备提供的巨大价值和先进功能,存在提价的灵活性。

  4. SIGNIFICANT · CL_12658 ·

    ASML 详细介绍光刻工具路线图,2025 年交付 48 台 EUV 系统

    ASML 公布了 2025 年强劲的财务业绩,交付了 48 台 EUV 光刻系统和 131 台浸没式 DUV 工具。公司营收达到 327 亿欧元,年末订单积压总额高达 388 亿欧元。ASML 的路线图包括光刻技术的进步,从 DUV 发展到 Low-NA、High-NA 和 Hyper-NA 系统。