中文(ZH) 三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上

三星电子将为HBM5采用2nm GAA工艺，速度提升超50%

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] · 2026-07-27 10:16

三星电子已确认其下一代HBM5内存将采用2nm Gate-All-Around (GAA) 工艺，承诺与HBM4E相比速度提升超过50%。这项先进的制造节点预计将通过硅通孔 (TSV) 技术增强集成度。三星旨在利用其在4nm HBM4E工艺方面的专业知识，通过扩展AI、HPC、汽车和机器人等各个领域的合作来引领半导体生态系统。 AI

影响 HBM5技术的这一进步通过提供更快的数据传输速率，对于加速AI和HPC工作负载至关重要。

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报道来源 [1]

36氪 (36Kr) TIER_1 中文(ZH) · 2026-07-27 10:16

三星电子确认HBM5将采用2nm GAA工艺，速度比HBM4E快50%以上

三星电子7月27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子铉称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。（界面）

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