据报道,三星和SK海力士正在升级其中国工厂,以生产更多用于人工智能数据中心的先进RAM芯片。此举是为了应对来自长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC)等中国内存制造商日益激烈的竞争。尽管面临需要获得美国芯片制造设备安装许可的美国出口管制规定,两家韩国公司都在寻求提高其NAND闪存芯片的层数,三星的目标是286层,SK海力士的目标是240层。 AI
影响 三星和SK海力士的此举可能会影响对人工智能数据中心至关重要的高性能内存的供应和成本,从而可能影响人工智能开发和部署的步伐。
排序理由 主要的韩国芯片制造商正在中国升级生产设施,以应对竞争压力和对人工智能专用硬件的市场需求。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]
- Changxin Memory Technologies
- Dalian
- Samsung
- Samsung Electronics
- SK Hynix
- U.S.
- V9 NAND
- Xi'an
- Yangtze Memory Technologies Co.
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