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实体 V9 NAND

V9 NAND

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  1. RESEARCH · CL_313605 ·

    三星、SK海力士升级中国工厂以生产先进AI RAM,应对竞争

    据报道,三星和SK海力士正在升级其中国工厂,以生产更多用于人工智能数据中心的先进RAM芯片。此举是为了应对来自长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC)等中国内存制造商日益激烈的竞争。尽管面临需要获得美国芯片制造设备安装许可的美国出口管制规定,两家韩国公司都在寻求提高其NAND闪存芯片的层数,三星的目标是286层,SK海力士的目标是240层。