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Goo Ja-hyun

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RESEARCH · CL_165655 · Jul 27 · 10:16

三星电子将为HBM5采用2nm GAA工艺，速度提升超50%

三星电子已确认其下一代HBM5内存将采用2nm Gate-All-Around (GAA) 工艺，承诺与HBM4E相比速度提升超过50%。这项先进的制造节点预计将通过硅通孔 (TSV) 技术增强集成度。三星旨在利用其在4nm HBM4E工艺方面的专业知识，通过扩展AI、HPC、汽车和机器人等各个领域的合作来引领半导体生态系统。