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Rapidus Corporation

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  1. 2026-06-05 funding Japan is providing an additional 150 billion yen in funding to Rapidus. 来源
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  1. RESEARCH · CL_136032 ·

    Rapidus 旨在以 2 纳米晶圆的低价挑战台积电

    日本芯片制造商Rapidus计划通过提供更低的2纳米级硅片晶圆定价来挑战台积电的市场主导地位,目标是到2027年将价格定在每片约2万美元。虽然台积电预计将在其先进节点上收取更高的价格,但Rapidus的战略还包括通过单晶圆处理来专注于更快的生产周期。尽管付出了这些努力,Rapidus仍面临重大障碍,包括台积电成熟的生态系统和自身制造能力的成熟度。

  2. SIGNIFICANT · CL_132535 ·

    Rapidus 目标2027年芯片生产,仅靠一家北海道工厂,寻求客户

    Rapidus Corporation正在北海道千岁市开发日本首个领先的逻辑芯片制造工厂,目标是到2027年实现量产。该公司已成功通过其试点生产线运行晶圆,使用了ASML EUV扫描仪,并生产了2nm栅极全环原型。尽管取得了这些进展并获得了大量政府资助,Rapidus 尚未为其源自IBM技术的2nm工艺获得承诺的批量客户。

  3. RESEARCH · CL_116344 ·

    IBM 发布用于 AI 效率的新芯片架构

    IBM 宣布了一种名为 NanoStack 的新芯片架构,该架构可以显著提高 AI 处理效率。这种 3D 堆叠设计允许更高的晶体管密度,与当前的 2nm 节点芯片相比,效率可能提高高达 70%,性能提高 50%。虽然该技术距离量产仍有大约五年时间,但它有望在扩展 SRAM 方面取得重大突破,这对于加速 AI 应用至关重要。

  4. SIGNIFICANT · CL_110293 ·

    IBM发布首个采用堆叠晶体管的亚纳米级芯片技术

    IBM宣布了其新型“亚纳米”(0.7纳米或7埃)芯片工艺的重大进展。这项突破采用了新颖的“纳米堆叠”架构,通过垂直堆叠晶体管来实现近乎翻倍的密度。该公司声称,这项创新可以带来性能提升高达50%或能效提高70%的芯片,从而解决AI数据中心面临的关键功耗挑战。IBM预计这项技术可以将芯片扩展再延长十年,并可能在五年内实现量产。

  5. TOOL · CL_95509 ·

    Robotech与NVIDIA合作开发新型光学技术;Rapidus与意大利和英国签署协议

    Robotech的子公司FSG正与NVIDIA合作开发下一代光互连技术。虽然开发正在进行中并已取得初步成果,但商业化尚未实现,并面临市场不确定性。与此同时,日本芯片制造商Rapidus已与意大利Chips-IT基金会和英国UKSC签署谅解备忘录,以推进半导体制造能力。

  6. RESEARCH · CL_92266 ·

    日本与意大利建立科技与关键矿产伙伴关系

    日本和意大利正在加强其科技与关键矿产合作,旨在实现供应链多元化并减少对中国的过度依赖。此次合作包括支持日本的半导体企业Rapidus和一家意大利芯片设计公司,以及在太空碎片管理和卫星数据分析方面的联合努力。该协议是在意大利总理Giorgia Meloni与日本大臣Sanae Takaichi会晤期间达成的,标志着两国建交160周年。

  7. RESEARCH · CL_72036 ·

    日本向国内芯片制造商Rapidus追加投资1500亿日元

    日本将再向国内半导体制造商Rapidus提供1500亿日元的资金。这项投资旨在支持该公司在先进芯片技术开发方面的努力。该消息凸显了日本加强其半导体产业的持续承诺。

  8. SIGNIFICANT · CL_63694 ·

    2026年第一季度,在供应紧张的情况下,晶圆代工厂行业创下488亿美元的纪录

    2026年第一季度,晶圆代工厂行业收入达到488亿美元,创下历史新高,同比增长32%,并实现了连续第九个季度的增长。这一激增是由成熟制程供应紧张推动的,因为台积电(TSMC)和三星(Samsung)正在退出遗留生产线,同时台积电亚利桑那工厂表现强劲,以及对先进AI芯片的持续需求。像Rapidus和华为这样的新兴厂商也在进入晶圆代工领域,这表明市场充满活力且正在扩张。

  9. SIGNIFICANT · CL_31476 ·

    TSMC、Intel、Samsung在1.4纳米芯片生产路线图上出现分歧

    TSMC、Intel和Samsung都在生产使用2纳米级别工艺技术的芯片,其中Samsung和TSMC已于2025年中后期开始量产。它们的未来路线图存在显著差异:TSMC优先考虑可预测的扩展和专业化,Samsung专注于通过迭代节点变体来提高良率,而Intel则采取激进策略,采用环绕栅极晶体管和背面供电等先进技术,目标是在2027-2028年实现1.4纳米节点。