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China Foreign Exchange Trade System
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IBM 发布业界首个亚纳米级芯片技术
IBM 开发出了突破性的 0.7nm 级制造技术，标志着业界首个亚纳米级制造工艺。这项新技术采用了纳米堆叠晶体管，将互补的 n 型和 p 型晶体管垂直堆叠在两个晶圆上，而不是像传统那样并排放在单个晶圆上。这种创新的方法有望带来显著的改进，与 IBM 此前的 2nm 级节点相比，性能提升高达 50%，能效提升 70%。
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Intel 详解未来芯片技术：CFET、GaN 集成和新型互连
Intel 披露了其芯片制造技术的进步，包括比前代产品具有更高性能和能效的 Intel 18A-P 工艺节点。该公司还详细介绍了互补场效应晶体管 (CFET)、用于电源管理的氮化镓 (GaN) 和硅集成以及减成钌互连等未来创新的进展。这些发展旨在突破半导体设计中逻辑扩展和能源效率的界限。