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China Foreign Exchange Trade System
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Imec 路线图：2038 年实现 0.3 纳米节点，CFET 晶体管在 0.7 纳米时可行
Imec 的 2026 年路线图勾勒了半导体制造的未来，预计到 2038 年实现 0.3 纳米制造节点，并在 0.7 纳米时实现 CFET 晶体管的可行性。该研究组织正在重新定义摩尔定律，强调单元尺寸和密度而非传统的缩小尺寸，因为接触多晶硅间距预计将在 2030 年左右趋于平稳。这一转变需要 CFET 和潜在的 Hyper-NA EUV 光刻等新技术来继续推进芯片功能。
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IBM 发布采用纳米堆叠晶体管的亚纳米级芯片技术
IBM 宣布在半导体制造领域取得突破，开发出 0.7 纳米级别制造技术，这是业界首个亚纳米级工艺。这项新技术采用了纳米堆叠晶体管，将互补的 n 型和 p 型晶体管垂直堆叠在两个晶圆上，而不是并排放在单个晶圆上。这种创新的方法可以独立优化每种类型的晶体管，与 IBM 先前的 2 纳米级别节点相比，在性能和能效方面取得了显著的改进。
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Intel 详解未来芯片技术：CFET、GaN 集成和新型互连
Intel 披露了其芯片制造技术的进步，包括比前代产品具有更高性能和能效的 Intel 18A-P 工艺节点。该公司还详细介绍了互补场效应晶体管 (CFET)、用于电源管理的氮化镓 (GaN) 和硅集成以及减成钌互连等未来创新的进展。这些发展旨在突破半导体设计中逻辑扩展和能源效率的界限。