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English(EN) Chinese fab SMIC's 7nm metal pitch beats Intel 18A but lags 38% on density, teardown finds — Huawei's sanctions-beating HiSilicon Kirin 9030 is the first subject of SemiAnalysis's new teardown lab

中芯国际的7纳米工艺间距优于Intel 18A，但密度落后，拆解显示

作者 PulseAugur 编辑部 · [2 个来源] ·

SemiAnalysis已开设新的芯片拆解实验室，并发布了对华为HiSilicon Kirin 9030处理器的首次分析。拆解显示，中芯国际的7纳米工艺技术在局部金属间距方面优于Intel的18A，但晶体管密度却显著落后。具体而言，Kirin 9030的N+3工艺具有32.5纳米的局部间距，在此指标上超越了Intel的18A，但其晶体管密度却比Intel的18A低38%。 AI

影响 此次分析突显了半导体制造工艺的进步，影响了未来AI硬件开发的潜力。

排序理由 芯片拆解分析，比较工艺技术。

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中芯国际的7纳米工艺间距优于Intel 18A，但密度落后，拆解显示

报道来源 [2]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Luke James ·

    中国芯片制造商中芯国际的7纳米金属间距优于Intel 18A，但密度落后38%，拆解发现 — 华为制裁下的海思麒麟9030是SemiAnalysis新拆解实验室的首个对象

    SemiAnalysis has published the first teardown from its new in-house lab, focusing on the minimum local metal pitch on SMIC’s third-gen 7nm at 32.5nm.

  2. Mastodon — mastodon.social TIER_1 English(EN) · [email protected] ·

    中国芯片制造商中芯国际的7纳米金属间距优于Intel 18A，但密度落后38%，拆解发现——华为制裁下的海思麒麟9030是首个采用的芯片

    Chinese fab SMIC's 7nm metal pitch beats Intel 18A but lags 38% on density, teardown finds — Huawei's sanctions-beating HiSilicon Kirin 9030 is the first subject of SemiAnalysi… SemiAnalysis has published the first teardown from its new in-house lab, focusing on the minimum local…

    链接 tomshardware.com/…/semianalysis-opens-its… tomshardware.com/tech-industry

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