实体
HiSilicon Kirin 9030
HiSilicon Kirin 9030
PulseAugur coverage of HiSilicon Kirin 9030 — every cluster mentioning HiSilicon Kirin 9030 across labs, papers, and developer communities, ranked by signal.
总计 · 30天
0
90 天内 2
发布 · 30天
0
90 天内 0
论文 · 30天
0
90 天内 0
层级分布 · 90 天
主题
最近 · 第 1/1 页 · 共 2 条
-
中芯国际的7纳米工艺间距优于Intel 18A，但密度落后，拆解显示
SemiAnalysis已开设新的芯片拆解实验室，并发布了对华为HiSilicon Kirin 9030处理器的首次分析。拆解显示，中芯国际的7纳米工艺技术在局部金属间距方面优于Intel的18A，但晶体管密度却显著落后。具体而言，Kirin 9030的N+3工艺具有32.5纳米的局部间距，在此指标上超越了Intel的18A，但其晶体管密度却比Intel的18A低38%。
-
中芯国际N+3制程分析：与Intel 18A和台积电N6的金属间距对比
SemiAnalysis发布了一份详细的分析报告，将中芯国际的N+3制造工艺与Intel的18A和台积电的N6制程进行了比较。报告重点关注了金属间距的大小，这是半导体制造效率和性能的关键因素。分析还深入探讨了中芯国际N+3制程的其他方面，包括其光刻、单元架构以及潜在应用，特别是与海思麒麟9030的关系。