西湖大学的研究人员开发了一种新颖的“干法转移”方法，用于将单晶二维半导体集成到柔性基板上。该技术将工艺从湿法推进到干法，实现了二硫化钼等材料的高质量集成。这项发表在《自然·电子学》上的突破解决了阻碍高性能柔性电子器件发展的一个关键技术挑战。 AI
影响 为柔性电子器件带来了新的可能性，可能影响AI硬件设计。
排序理由 发表在《自然·电子学》上的学术论文，详细介绍了新的材料集成技术。
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西湖大学实现晶圆级单晶二维半导体柔性集成
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"Dry Transfer" Achieves Wafer-Level Monocrystalline 2D Semiconductor Flexible Integration
记者27日从西湖大学获悉，该校工学院孔玮教授团队成功实现晶圆级单晶二硫化钼薄膜在柔性基底上的高质量集成，将单晶二维半导体转移集成技术从“湿法”推进到“干法”路线，为突破长期制约高性能柔性电子发展的技术瓶颈提供了新路径。相关研究成果日前发表于《自然·电子》期刊。（科技日报）