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English(EN) MemSilicon Tapes Out MountTai 2026, a 28nm 1Gb RRAM Chip With One Transistor per Four Cells

MemSilicon 宣布流片采用 1T4R 架构的 1Gb RRAM 芯片

作者 PulseAugur 编辑部 · [2 个来源] ·

MemSilicon 宣布其 MountTai 2026 芯片已成功流片。该芯片是一款 1Gb RRAM（阻变随机存取存储器）器件，采用了 1T4R（每四个电阻单元配备一个晶体管）架构。这标志着一个重要的里程碑，因为它被声称是首款达到千兆比特级别的高密度、大容量 RRAM 芯片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺制造，实现了 30Mb/mm² 的密度和低于 20ns 的访问时间，并集成了纠错码 (ECC)。 AI

影响 这种高密度、大容量内存的进步可以通过在芯片上存储更多参数和数据来加速 AI 硬件的发展。

排序理由 公司首次流片千兆比特级别、采用 1T4R 架构的 RRAM 芯片。[lever_c_demoted from frontier_release: ic=2 ai=0.7]

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MemSilicon 宣布流片采用 1T4R 架构的 1Gb RRAM 芯片

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报道来源 [2]

  1. 量子位 (QbitAI) TIER_1 中文(ZH) · 量子位的朋友们 ·

    MemSilicon 完成首个国际大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

    CMOS标准工艺兼容的1TnR技术路线加速研发。

  2. Pandaily TIER_1 English(EN) · [email protected] (Pandaily) ·

    MemSilicon 宣布 2026 芯片流片，这是一款 28nm 1Gb RRAM 芯片，每四单元一个晶体管

    MemSilicon says MountTai 2026 is the first high-density 1T4R RRAM chip at gigabit scale: 1Gb on 28nm CMOS, 30Mb/mm2 density, under 20ns access and on-chip ECC. Validation is underway.

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