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MemSilicon 宣布流片采用 1T4R 架构的 1Gb RRAM 芯片

MemSilicon 宣布其 MountTai 2026 芯片已成功流片。该芯片是一款 1Gb RRAM（阻变随机存取存储器）器件，采用了 1T4R（每四个电阻单元配备一个晶体管）架构。这标志着一个重要的里程碑，因为它被声称是首款达到千兆比特级别的高密度、大容量 RRAM 芯片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺制造，实现了 30Mb/mm² 的密度和低于 20ns 的访问时间，并集成了纠错码 (ECC)。