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English(EN) For electric vehicles and grid tech, raw power is useless without long-term survival. Toshiba Device & Storage has tackled a major vulnerability in silicon carb

东芝增强SiC芯片在电动汽车和电网技术中的可靠性

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

东芝器件与存储公司开发了新的沟槽栅碳化硅（SiC）MOSFET，显著提高了长期可靠性。这些芯片将应力下的栅极阈值电压漂移降低了50%，解决了SiC技术中的一个关键漏洞。这一进步对于电动汽车和电网基础设施中电力系统的稳定性和寿命至关重要。 AI

影响 增强了对人工智能驱动的基础设施和电动汽车至关重要的电力组件的可靠性。

排序理由 这是针对特定组件的产品改进，并非前沿发布或重大的行业事件。

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东芝增强SiC芯片在电动汽车和电网技术中的可靠性

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报道来源 [1]

  1. Mastodon — mastodon.social TIER_1 English(EN) · asiaai ·

    对于电动汽车和电网技术而言，没有长期生存能力，原始功率毫无用处。东芝器件与存储公司已解决了硅碳化物中的一个主要漏洞

    For electric vehicles and grid tech, raw power is useless without long-term survival. Toshiba Device & Storage has tackled a major vulnerability in silicon carbide (SiC) chips: gate threshold voltage drift under stress. By focusing on fundamental interface physics, their new tren…

    链接 asiaai.fyi/toshiba-sic-mosfet-reliability…

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