silicon carbide
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1 天有情绪数据
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固态变压器有望彻底改变人工智能数据中心的电力基础设施
固态变压器（SST）正成为下一代人工智能数据中心的关键技术，能够将中压交流电直接转换为 800 V 直流电。转向高压直流电（HVDC）可提高效率、减小设备尺寸并简化可再生能源的集成。碳化硅（SiC）半导体的应用是 SST 性能的关键，它具有更高的耐压、耐温和更快的开关速度，这对于人工智能工作负载苛刻的电力需求至关重要。
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京都大学利用标准晶圆厂工艺开发出可承受600°C高温的碳化硅晶体管
京都大学的研究人员开发出一种可在600°C高温下运行的碳化硅（SiC）晶体管，这比传统硅晶体管（在250°C以上就会失效）有了显著进步。这种新型晶体管采用了底部栅极设计和标准的离子注入技术，大大减少了漏电并提高了阈值电压稳定性，在400°C时仍能保持在0.1V以内。虽然这种晶体管是常开型，需要进一步开发以实现低功耗互补电路，但其与现有制造工艺的兼容性为高温电子设备开辟了可能性。
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新的物理信息方法提升碳化硅功率模块健康监测能力
两篇新研究论文提出了监测碳化硅（SiC）功率模块健康状况的先进方法，SiC功率模块是电动汽车逆变器中的关键组件。第一篇论文介绍了一个物理信息框架，该框架使用损伤累积指标和单调性约束来预测退化，与Infineon Technologies数据上的数据驱动方法相比，误差降低了70%。第二篇论文证明，这些损伤累积特征，特别是与神经常微分方程（NODEs）结合使用时，显著提高了在焊料疲劳和引线键合脱落等不同失效机理之间的迁移性，其性能优于传统的预测方法。
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人工智能数据中心推动碳化硅市场飙升至2031年的110亿美元
碳化硅市场正经历显著增长，预计到2031年将达到110亿美元。这种扩张主要得益于人工智能数据中心日益增长的电力需求，以及电动汽车和可再生能源解决方案的日益普及。中国制造商在该领域内的存在感和市场份额正显著增加。
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中国汽车业的主导地位威胁西方芯片制造商和国家安全
SemiAnalysis 报告称，中国正迅速增加其在全球汽车市场的份额，尤其是在以色列等国家，通过提供广泛的新电动汽车品牌。这种扩张令西方半导体公司担忧，因为像比亚迪（BYD）这样的中国制造商越来越多地生产自己的汽车级芯片。这一趋势也带来了国家安全风险，因为联网汽车可以充当移动传感器平台，将数据传输回中国，而西方工业基础的削弱可能会阻碍未来冲突中的动员。
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中微精一获融资，推动先进激光切割技术
高端工业激光设备制造商中微精一（Zhongwei Jingyi）已由创维投资（Skyworth Investment）独家完成数千万元人民币的天使+轮融资。该公司专注于碳化硅（silicon carbide）和钻石等材料的激光加工技术，其设备可实现低至40微米的切割损耗，远超行业标准。本轮融资将用于市场拓展、产能提升以及包括量子芯片加工应用在内的新产品开发。
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中信证券预测锂价将走强，并指出碳化硅需求激增
中信证券的一份报告指出，尽管近期由于需求担忧和库存波动，锂价面临压力，但供需失衡预计将持续存在。这表明2026年下半年锂价有可能走强，目标价为每吨25万元人民币。报告还指出，与汽车、储能和新兴AI应用的需求强劲形成对比的是，新的碳化硅晶片产能扩张正在放缓，这正推动上游设备制造商的订单增加。
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中国的碳化硅控制威胁人工智能电源供应
中国在碳化硅生产方面的优势对全球人工智能基础设施供应链构成了风险。人工智能数据中心对高压电源硬件的需求不断增长，加剧了这一问题。对中国制造关键半导体元件的依赖可能导致重大中断。
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新AI框架可预测材料冲击波行为并量化不确定性
研究人员开发了一种新颖的物理约束高斯过程回归框架，用于预测冲击波Hugoniot曲线。该方法使用有限数量的冲击波模拟来准确估计极端条件下的材料行为并量化预测不确定性。该方法在碳化硅上进行了演示，可为材料科学的未来实验和模拟提供信息。