京都大学的研究人员开发出一种可在600°C高温下运行的碳化硅（SiC）晶体管，这比传统硅晶体管（在250°C以上就会失效）有了显著进步。这种新型晶体管采用了底部栅极设计和标准的离子注入技术，大大减少了漏电并提高了阈值电压稳定性，在400°C时仍能保持在0.1V以内。虽然这种晶体管是常开型，需要进一步开发以实现低功耗互补电路，但其与现有制造工艺的兼容性为高温电子设备开辟了可能性。 AI
影响 为在极端环境中运行的AI系统提供了新的硬件支持。
排序理由 大学发布的新型晶体管技术研究论文。[lever_c_demoted from research: ic=1 ai=0.7]
- APL Electronic Devices
- Kyoto University
- Mitsuaki Kaneko
- Shunya Shibata
- Silicon carbide
- Tsunenobu Kimoto
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