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Toshiba Device & Storage

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  1. TOOL · CL_278248 ·

    东芝增强SiC芯片在电动汽车和电网技术中的可靠性

    东芝器件与存储公司开发了新的沟槽栅碳化硅（SiC）MOSFET，显著提高了长期可靠性。这些芯片将应力下的栅极阈值电压漂移降低了50%，解决了SiC技术中的一个关键漏洞。这一进步对于电动汽车和电网基础设施中电力系统的稳定性和寿命至关重要。