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English(EN) High Bandwidth Flash Advances At The 2026 FMS Conference

SK Hynix 和 SanDisk 在 2026 FMS 大会上推进 AI 高带宽闪存

在 2026 FMS 大会上,SK HynixSanDisk 展示了高带宽闪存(HBF)技术的进展,该技术旨在增强 AI 推理能力。SK Hynix 推出了新的内存层级,包括具有 TB 级带宽的 G1.5 HBF,旨在优化 AI 性能和成本。SanDisk 详细介绍了其最新的 NAND 闪存芯片以及与 SK Hynix 在 HBF 上的合作,HBF 类似于 HBM 堆叠 NAND 芯片,为 AI 加速器提供高容量、高性能的存储解决方案。 AI

影响 这些 HBF 的进展有望显著提升 AI 推理性能和效率,可能降低成本并支持在各种设备上运行更强大的 AI 应用。

排序理由 该集群详细介绍了在一次会议上展示的高带宽闪存技术进展,包括新的内存层级和规格,这属于 AI 应用存储和内存方面的研发。 [lever_c_demoted from research: ic=1 ai=0.7]

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SK Hynix 和 SanDisk 在 2026 FMS 大会上推进 AI 高带宽闪存

报道来源 [1]

  1. Forbes — Innovation TIER_1 English(EN) · Thomas Coughlin, Contributor ·

    2026 FMS大会上的高带宽闪存技术取得进展

    SK hynix and Sandisk showed their new DRAM & NAND products and announced the initial HBF specification and roadmap at the 2026 FMS Conference.