中芯国际的第三代7纳米级制造技术N+3，其金属间距小于Intel 18A，晶体管密度可与依赖EUV的制程相媲美，超越了台积电的N6制程。这一进展，从华为麒麟9030 SoC的分析中可以看出，尽管面临出口限制，仍是中国半导体制造业的重大进步。然而，N+3制程的晶体管密度并未转化为整体竞争力，与同代其他制造商的旗舰处理器相比，麒麟9030在性能和能效方面存在不足。 AI
影响 这项制造技术的进步可能最终影响AI芯片的成本和性能，尽管目前的性能指标尚不具备竞争力。
排序理由 对中国主要制造商的一款新型半导体制造节点的分析，并与全球主要竞争对手进行了比较。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]
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