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Kirin 9030
Kirin 9030
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中芯国际7纳米制程取得进展，在无EUV情况下密度可比台积电N6
中芯国际的第三代7纳米级制造技术N+3，其金属间距小于Intel 18A，晶体管密度可与依赖EUV的制程相媲美，超越了台积电的N6制程。这一进展，从华为麒麟9030 SoC的分析中可以看出，尽管面临出口限制，仍是中国半导体制造业的重大进步。然而，N+3制程的晶体管密度并未转化为整体竞争力，与同代其他制造商的旗舰处理器相比，麒麟9030在性能和能效方面存在不足。
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分析发现：中国SMIC的7纳米制程在没有EUV的情况下超越Intel 18A
SemiAnalysis 对华为的 Kirin 9030 芯片进行了详细审查，发现其金属间距为 32.5 纳米。这一尺寸比英特尔采用 EUV 技术的 18A 制程更小。研究结果表明，中国芯片制造商 SMIC 可能在没有 EUV 的情况下超越了英特尔的领先制程，这引发了对当前半导体制造能力现状的疑问。