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Kirin 9030
Kirin 9030
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中芯国际7纳米制程在无EUV情况下取得进展，但性能落后
中芯国际的第三代7纳米级（N+3）制造技术实现了比Intel 18A更小的金属间距，以及比台积电N6更高的晶体管密度，并且显著地未使用EUV光刻技术。这代表了中国半导体制造的重大进展，采用了DUV多重曝光和设计-工艺协同优化等技术。然而，N+3工艺的晶体管密度并未转化为整体竞争力，其生产的芯片在性能和能效方面与大约三年前的旗舰处理器相当，落后于主要竞争对手的现代设计。
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分析发现：中国SMIC的7纳米制程在没有EUV的情况下超越Intel 18A
SemiAnalysis 对华为的 Kirin 9030 芯片进行了详细审查，发现其金属间距为 32.5 纳米。这一尺寸比英特尔采用 EUV 技术的 18A 制程更小。研究结果表明，中国芯片制造商 SMIC 可能在没有 EUV 的情况下超越了英特尔的领先制程，这引发了对当前半导体制造能力现状的疑问。