English(EN) SMIC's third-gen 7nm node shows smaller metal pitch than Intel 18A, higher transistor density than TSMC N6 without EUV — analysis of N+3 shows significant advancement for Chinese semi manufacturing

中芯国际7纳米制程取得进展，在无EUV情况下密度可比台积电N6

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] · 2026-07-21 11:00

中芯国际的第三代7纳米级制造技术N+3，其金属间距小于Intel 18A，晶体管密度可与依赖EUV的制程相媲美，超越了台积电的N6制程。这一进展，从华为麒麟9030 SoC的分析中可以看出，尽管面临出口限制，仍是中国半导体制造业的重大进步。然而，N+3制程的晶体管密度并未转化为整体竞争力，与同代其他制造商的旗舰处理器相比，麒麟9030在性能和能效方面存在不足。 AI

影响这项制造技术的进步可能最终影响AI芯片的成本和性能，尽管目前的性能指标尚不具备竞争力。

排序理由对中国主要制造商的一款新型半导体制造节点的分析，并与全球主要竞争对手进行了比较。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov · 2026-07-21 11:00

SMIC's third-gen 7nm node shows smaller metal pitch than Intel 18A, higher transistor density than TSMC N6 without EUV — analysis of N+3 shows significant advancement for Chinese semi manufacturing

SMIC's N+3 process technology can achieve transistor density comparable to TSMC's N6 without using EUV lithography, but it fails to deliver performance or efficiency of modern production nodes.

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SMIC's third-gen 7nm node shows smaller metal pitch than Intel 18A, higher transistor density than TSMC N6 without EUV — analysis of N+3 shows significant advancement for Chinese semi manufacturing

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