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N+3
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中芯国际7纳米制程在无EUV情况下取得进展，但性能落后
中芯国际的第三代7纳米级（N+3）制造技术实现了比Intel 18A更小的金属间距，以及比台积电N6更高的晶体管密度，并且显著地未使用EUV光刻技术。这代表了中国半导体制造的重大进展，采用了DUV多重曝光和设计-工艺协同优化等技术。然而，N+3工艺的晶体管密度并未转化为整体竞争力，其生产的芯片在性能和能效方面与大约三年前的旗舰处理器相当，落后于主要竞争对手的现代设计。
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中芯国际N+3制程分析：与Intel 18A和台积电N6的金属间距对比
SemiAnalysis发布了一份详细的分析报告，将中芯国际的N+3制造工艺与Intel的18A和台积电的N6制程进行了比较。报告重点关注了金属间距的大小，这是半导体制造效率和性能的关键因素。分析还深入探讨了中芯国际N+3制程的其他方面，包括其光刻、单元架构以及潜在应用，特别是与海思麒麟9030的关系。