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English(EN) Imec's 2026 roadmap details 0.3nm nodes by 2038, CFET transistors become viable at 0.7nm — company redefines Moore's Law as cell sizes gain importance for density

Imec 路线图目标是到 2038 年实现 0.3 纳米节点，到 2030 年代初实现 CFET 晶体管

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] ·

Imec 的 2026 年路线图概述了未来的半导体进展，包括到 2038 年实现 0.3 纳米制造技术的潜力。该路线图强调了单元尺寸对芯片密度的日益增长的重要性，并预测环绕栅极 (GAA) 晶体管将在未来七年内保持可行。预计将在 2030 年代初出现关键的架构转变，例如引入互补场效应晶体管 (CFET) 和采用高数值孔径极紫外光刻 (High-NA EUV)，以克服扩展限制。 AI

影响 该路线图预示着半导体制造的进步，将为未来更强大的 AI 硬件提供支持。

排序理由 路线图详细介绍了未来的半导体工艺技术和晶体管架构。[lever_c_demoted from research: ic=1 ai=0.7]

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Imec 路线图目标是到 2038 年实现 0.3 纳米节点，到 2030 年代初实现 CFET 晶体管

报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov ·

    Imec's 2026 roadmap details 0.3nm nodes by 2038, CFET transistors become viable at 0.7nm — company redefines Moore's Law as cell sizes gain importance for density

    As CPP shrinking stalls, chipmakers find a new way to increase transistor density. Imec foresees 0.3nm in 2038, CFET insertion in 2038, HLSI era.

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